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參數資料
| 型號： | SPD08N50C3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| 中文描述： | 酷馬鞍山⑩功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 256K |
| 代理商： | SPD08N50C3 |
2003-06-27
Page 1
SPD08N50C3
Final data
Cool MOS
Power Transistor
Feature
New revolutionary high voltage technology
Worldwide best
R
DS(on)
in TO-252
Ultra low gate charge
Periodic avalanche rated
Extreme d
v
/d
t
rated
Ultra low effective capacitances
Improved transconductance
V
DS
@
T
jmax
R
DS(on)
I
D
560
0.6
V
A
7.6
P-TO252-3-1
Type
SPD08N50C3
Package
P-TO252-3-1
Ordering Code
Q67040-S4569
Marking
08N50C3
Maximum Ratings, at
T
C
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Value
Unit
A
Continuous drain current
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
D
7.6
4.6
I
D puls
E
AS
22.8
I
D
=5.5A,
V
DD
=50V
Avalanche energy, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
1)
I
D
=7.6A,
V
DD
=50V
Avalanche current, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
Gate source voltage
230
mJ
E
AR
0.5
I
AR
V
GS
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
7.6
A
±20
±
30
83
V
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation,
T
C
= 25°C
Operating and storage temperature
W
-55... +150
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPD08P06P | SIPMOS Power-Transistor |
| SPU08P06P | SIPMOS Power-Transistor |
| SPD100N03S2L-04 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPD11N10 | SIPMOS Power-Transistor |
| SPU11N10 | SIPMOS Power-Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SPD08N50C3_08 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Cool MOS Power Transistor |
| SPD08N50C3ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel |
| SPD08N50C3BTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK |
| SPD08N50C3ZT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 7.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
| SPD08P06P | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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