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參數資料
| 型號： | SPD30N06S2-15 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管) |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | SPD30N06S2-15 |
2000-04-20
Page 1
SPD30N06S2-15
Preliminary data
OptiMOS
=
Power-Transistor
Features
N-Channel
Enhancement mode
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
=
175°C operating temperature
Product Summary
Drain source voltage
Drain-source on-state resistance
Continuous drain current
V
DS
R
DS(on)
I
D
55
14.7
30
V
m
A
Pin 1
G
PIN 2/4
D
PIN 3
S
Type
SPD30N06S2-15
Package
P-TO252
Ordering Code
Q67040-S4253
Maximum Ratings
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 °C,
1)
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current
T
C
= 25 °C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 30 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
Reverse diode d
v
/d
t
I
S
= 30 A,
V
DS
= 44 V, d
i
/d
t
= 200 A/μs,
T
jmax
= 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
= 25 °C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Symbol
Value
30
30
Unit
A
I
D
I
D puls
120
E
AS
240
mJ
d
v
/d
t
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
125
V
W
T
j ,
T
stg
-55...+175
55/175/56
°C
1current limited by bondwire;with an RthJC = 1.2 K/W the chip is able to carry ID = 61 A.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPD30N06S2L-13 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPD30N06S2L-23 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPD30N06S2-15 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPD30N06S2-23 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPD30N06S2L-13 | OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| SPD30N06S2L-13 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPD30N06S2L-23 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPD30N08S2-22 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 30A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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