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參數(shù)資料
| 型號： | SPD30N06S2L-13 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管) |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | SPD30N06S2L-13 |
2000-04-20
Page 1
SPD30N06S2L-13
Preliminary data
OptiMOS
=
Power-Transistor
Features
N-Channel
Enhancement mode
Avalanche rated
Logic Level
d
v
/d
t
rated
=
175°C operating temperature
Product Summary
Drain source voltage
Drain-source on-state resistance
Continuous drain current
V
DS
R
DS(on)
I
D
55
13
30
V
m
A
Pin 1
G
PIN 2/4
D
PIN 3
S
Type
SPD30N06S2L-13 P-TO252
Package
Ordering Code
Q67040-S4254
Maximum Ratings
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 °C,
1)
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current
T
C
= 25 °C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 30 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
Reverse diode d
v
/d
t
I
S
= 30 A,
V
DS
= 44 V, d
i
/d
t
= 200 A/μs,
T
jmax
= 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
= 25 °C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Symbol
Value
30
30
Unit
A
I
D
I
D puls
120
E
AS
240
mJ
d
v
/d
t
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
125
V
W
T
j ,
T
stg
-55...+175
55/175/56
°C
1current limited by bondwire; with an
R
thJC = 1.2 K/W the chip is able to carry
I
D = 63 A.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SPD30P06P | 功能描述:MOSFET P-CH -60 V -30 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SPD30P06P G | 功能描述:MOSFET SIPMOS Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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