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參數資料
| 型號： | SPN01N50M2 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號晶體管) |
| 中文描述： | 酷馬鞍山小信號晶體管（酷馬鞍山小信號晶體管） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | SPN01N50M2 |
1999-10-11
1
SPN01N50M2
Target data sheet
Cool MOS
Small-Signal-Transistor
New revolutionary high voltage technology
Ultra low gate charge
Extreme dvdt rated
Optimized capacitances
Improved noise immunity
Former development designation:
SPUx7N60S5/SPDx7N60S5
G,1
D,2/4
S,3
VPS05163
1
2
3
4
C
O L
MOS
Type
SPN01N50M2 500 V 0.33 A 6
V
DS
I
D
R
DS(on)
Package
SOT-223
Marking
01N50M2
Ordering Code
Q67040-S4326
Maximum Ratings
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current,
t
p
= 1ms
1)
T
C
= 25 °C
Reverse diode dvdt
I
S
= 0.33 A,
V
DS
<
V
DSS
,
didt
= 100 A/μs,
T
jmax
= 150 °C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
= 25 °C
Operating and storage temperature
Symbol
I
D
Value
0.33
0.2
0.7
Unit
A
I
D puls
dvdt
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±
20
1.8
V
W
T
j ,
T
stg
-55... +150
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPN01N60S5 | Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號晶體管) |
| SPN04N60S5 | Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號晶體管) |
| SPN1012 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1012S52RG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1026 | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SPN01N60C3 | 功能描述:MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V .3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SPN01N60C3_05 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated |
| SPN01N60C3T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| SPN01N60C3XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
| SPN01N60S5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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