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參數(shù)資料
| 型號： | SPN01N60S5 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號晶體管) |
| 中文描述： | 酷馬鞍山小信號晶體管（酷馬鞍山小信號晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | SPN01N60S5 |
1999-10-11
1
SPN01N60S5
Preliminary data
Cool MOS
Small-Signal-Transistor
New revolutionary high voltage technology
Ultra low gate charge
Extreme dvdt rated
Optimized capacitances
Improved noise immunity
G,1
D,2/4
S,3
VPS05163
1
2
3
4
C
O L
MOS
Type
SPN01N60S5 600 V 0.3 A
V
DS
I
D
R
DS(on)
6
Package
SOT-223
Marking
01N60S5
Ordering Code
Q67040-S4208
Maximum Ratings
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Pulsed drain current,
t
p
= 1ms
1)
T
A
= 25 °C
Reverse diode dvdt
I
S
= 0.3 A,
V
DS
<
V
DSS
,
didt
= 100 A/μs,
T
jmax
= 150 °C
Gate source voltage
Power dissipation
T
A
= 25 °C
Operating and storage temperature
Symbol
I
D
Value
0.3
0.2
1.6
Unit
A
I
D puls
dvdt
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±
20
1.8
V
W
T
j ,
T
stg
-55... +150
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPN04N60S5 | Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信號晶體管) |
| SPN1012 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1012S52RG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1026 | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPN1026S56RG | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SPN020053 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| SPN020071 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| SPN020098TR | 制造商:RF Micro Devices Inc 功能描述: |
| SPN020126W | 制造商:RF Micro Devices Inc 功能描述: |
| SPN020137G TR | 制造商:Micrel 功能描述:Micrel SPN020137G TR |
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