| 型號(hào)： |
SQD19P06-60L-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
4/9頁(yè) |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH D-S 60V TO252 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
2,000 |
| 系列： |
TrenchFET® |
| FET 型： |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
20A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
55 毫歐 @ 19A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
2.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
41nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
1490pF @ 25V
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| 功率 - 最大： |
46W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TO-252，（D-Pak）
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| 包裝： |
帶卷 (TR)
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