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參數(shù)資料
型號(hào): SQD19P06-60L-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH D-S 60V TO252
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 20A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 55 毫歐 @ 19A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1490pF @ 25V
功率 - 最大: 46W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252,(D-Pak)
包裝: 帶卷 (TR)
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