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參數(shù)資料
型號: STB3300
元件分類: 保險絲
英文描述: FUSE 100A AUTO LINK 9/16
中文描述: 射頻調(diào)制器/解調(diào)器
文件頁數(shù): 1/10頁
文件大小: 510K
代理商: STB3300
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB33N10 OVERCURRENT PTC 1206L025YRT SMD, 1206
STB33N10-1 1206L025, OVERCURRENT PTC
STB3NB60T4 FUSE W/HOLDER, 5.0A, 125V, SLO-BLO, SMT
STB3NC60-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-262AA
STB3NC60T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB33N10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-263AB
STB33N10-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-262VAR
STB33N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 24A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1870pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB33N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):26A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1781pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB33N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):41.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1790pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
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