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參數資料
型號: STB9NK70ZFP
廠商: 意法半導體
英文描述: N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
中文描述: N溝道高達700V - 1ohm - 7.5A的TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247齊保護的SuperMESH⑩功率MOSFET
文件頁數: 1/14頁
文件大小: 666K
代理商: STB9NK70ZFP
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April 2002
STP9NK70Z - STP9NK70ZFP
STB9NK70Z - STB9NK70Z-1 - STW9NK70Z
N-CHANNEL 700V - 1
- 7.5A TO-220/FP/D
2
PAK/I
2
PAK/TO-247
Zener-Protected SuperMESHPower MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 1.0
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
IMPROVED ESD CAPABILITY
I
100% AVALANCHE RATED
I
GATE CHARGE MINIMIZED
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
VERY GOOD MANUFACTURING
REPEATIBILITY
DESCRIPTION
The SuperMESH series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established strip-
based PowerMESH layout. In addition to pushing
on-resistance significantly down, special care is tak-
en to ensure a very good dv/dt capability for the
most demanding applications. Such series comple-
ments ST full range of high voltage MOSFETs in-
cluding revolutionary MDmesh products.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
IDEAL FOR OFF-LINE POWER SUPPLIES,
ADAPTORS AND PFC
ORDERING INFORMATION
SALES TYPE
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
Pw
STP9NK70Z
STP9NK70ZFP
STB9NK70Z
STB9NK70Z-1
STW9NK70Z
700 V
700 V
700 V
700 V
700 V
< 1.2
< 1.2
< 1.2
< 1.2
< 1.2
7.5 A
7.5 A
7.5 A
7.5 A
7.5 A
115 W
35 W
115 W
115 W
156 W
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STP9NK70Z
P9NK70Z
TO-220
TUBE
STP9NK70ZFP
P9NK70ZFP
TO-220FP
TUBE
STB9NK70Z
B9NK70Z
D
2
PAK
TUBE
(ONLY UNDER REQUEST)
STB9NK70ZT4
B9NK70Z
D
2
PAK
TAPE & REEL
STB9NK70Z-1
B9NK70Z-1
I
2
PAK
TUBE
STW9NK60Z
W9NK70Z
TO-247
TUBE
TO-220
TO-220FP
1
2
3
1
2
3
TO-247
123
1
3
I
2
PAK
D
2
PAK
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料
PDF描述
STBR606 50-60Hz RECTIFICATION BRIDGE
STBR608 50-60Hz RECTIFICATION BRIDGE
STBV45-AP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STBV45 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STC9492C CMOS 1,200 bps PSK SINGLE CHIP MODEM
相關代理商/技術參數
參數描述
STB9NK70ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 700 Volt 7.5 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB9NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 2.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1138pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB9NK90Z 功能描述:MOSFET N Ch 900V 1.1 8A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB9NK90Z_10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 900 V, 1.1 Ω, 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET
STBA1000101 制造商:Seagate Technology 功能描述:- Bulk
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