型號: | STB9NK70ZFP |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
中文描述: | N溝道高達700V - 1ohm - 7.5A的TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247齊保護的SuperMESH⑩功率MOSFET |
文件頁數: | 1/14頁 |
文件大小: | 666K |
代理商: | STB9NK70ZFP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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STB9NK70ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 700 Volt 7.5 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB9NK80Z | 功能描述:MOSFET N-CH 800V D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 2.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1138pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
STB9NK90Z | 功能描述:MOSFET N Ch 900V 1.1 8A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB9NK90Z_10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 900 V, 1.1 Ω, 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET |
STBA1000101 | 制造商:Seagate Technology 功能描述:- Bulk |