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參數資料
| 型號： | STBV45 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 高壓快速開關NPN電源晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 490K |
| 代理商： | STBV45 |
STBV45
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
Table 1: Order Codes
■
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
■
LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
■
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLE OPERATION
■
VERY HIGH SWITCHING SPEED
APPLICATIONS:
■
COMPACT FLUORESCENT LAMPS (CFLS)
DESCRIPTION
The device is manufactured using High Voltage
Multi Epitaxial Planar technology for high
switching speeds and high voltage capability.
It uses a Cellular Emitter structure with planar
edge termination to enhance switching speeds
while maintaining the wide RBSOA.
The STBV series is designed for use in Compact
Fluorescent Lamps.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
July 2004
Table 2: Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
700
400
9
0.75
1.5
0.4
0.75
0.95
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
Total Dissipation at T
amb
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
Ordering Code
Marking
Package / Shipment
STBV45
BV45
TO-92 / Bulk
STBV45-AP
BV45
TO-92 / Ammopack
TO-92
Bulk
TO-92
Ammopack
Rev. 2
1/8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STC9492C | CMOS 1,200 bps PSK SINGLE CHIP MODEM |
| STC9492M | CMOS 1,200 bps PSK SINGLE CHIP MODEM |
| STD100NH02 | N-CHANNEL 24V - 0.0042 ohm - 60A DPAK/IPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET |
| STD100NH02L | RESONATOR CERM W/CAP 10.00MHZ |
| STD100NH03L | N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STBV45-AP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| STBV45G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| STBV45G-AP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| STBV68 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hi Vltg FAST SWITCH PNP Pwr TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| STBVP6 | 制造商:Banner Engineering 功能描述:Sensor, Safety, Self-Checking Touch Button w/Yellow F.C. 制造商:Banner Engineering 功能描述:PHOTOELECTRIC TOUCH BUTTONS, Output Current:150mA, Sensor Output:PNP, Supply Vol |
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