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參數資料
| 型號： | STD2HNK60Z-1 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 600V - 4.4ヘ - 2.0A TO-92/TO-220FP/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
| 中文描述： | N溝道600V的- 4.4ヘ- 2.0安培TO-92/TO-220FP/IPAK齊納MOSFET的保護SuperMESH |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 405K |
| 代理商： | STD2HNK60Z-1 |
1/12
April 2004
STQ2HNK60ZR-AP
STF2HNK60Z - STD2HNK60Z-1
N-CHANNEL 600V - 4.4
- 2.0A TO-92/TO-220FP/IPAK
Zener-Protected SuperMESH MOSFET
TYPICAL R
DS
(on) = 4.4
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
ESD IMPROVED CAPABILITY
100% AVALANCHE TESTED
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
The SuperMESH series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established strip-
based PowerMESH layout. In addition to pushing
on-resistance significantly down, special care is tak-
en to ensure a very good dv/dt capability for the
most demanding applications. Such series comple-
ments ST full range of high voltage MOSFETs in-
cluding revolutionary MDmesh products.
APPLICATIONS
AC ADAPTORS AND BATTERY CHARGERS
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
ORDER CODES
PART NUMBER
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
P
W
STQ2HNK60ZR-AP
STD2HNK60Z-1
STF2HNK60Z
600 V
600 V
600 V
< 4.8
< 4.8
< 4.8
0.5 A
2.0 A
2.0 A
3 W
45 W
20 W
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STD2HNK60Z-1
D2HNK60Z
IPAK
TUBE
STQ2HNK60ZR-AP
Q2HNK60ZR
TO-92
AMMOPAK
STF2HNK60Z
F2HNK60Z
TO-220FP
TUBE
TO-220FP
3
2
1
IPAK
TO-92 (Ammopack)
1
2
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STQ2HNK60ZR-AP | N-CHANNEL 600V - 4.4ヘ - 2.0A TO-92/TO-220FP/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
| STF2HNK60Z | N-CHANNEL 600V - 4.4ヘ - 2.0A TO-92/TO-220FP/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
| STD2NA50 | Supercapacitor; Capacitance:0.047F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:120ohm; Lead Pitch:5mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes |
| STD2NA60 | Supercapacitor; Capacitance:0.47F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:20mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes |
| STD2NB80T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-252AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STD2LN60K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD2N105K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1050V（1.05kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 750mA， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:115pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 |
| STD2N50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STD2N50-1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N I-PAK |
| STD2N50T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252 |
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