- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382558 > STD4NB40-1 (意法半導體) N-CHANNEL 400V - 1.47ohm - 4A DPAK/IPAK PowerMESH⑩ MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | STD4NB40-1 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 400V - 1.47ohm - 4A DPAK/IPAK PowerMESH⑩ MOSFET |
| 中文描述： | N溝道400V - 1.47ohm - 4A條的DPAK /像是iPak PowerMESH⑩MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 449K |
| 代理商： | STD4NB40-1 |
1/10
June 2001
STD4NB40
STD4NB40-1
N-CHANNEL 400V - 1.47
- 4A DPAK/IPAK
PowerMESH MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 1.47
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
GATE CHARGE MINIMIZED
I
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &
REEL
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, STMicroelectronics has designed an ad-
vanced family of power MOSFETs with outstanding
performances. The new patent pending strip layout
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-
nation structure, gives the lowest R
DS(on)
per area,
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and
unrivalled gate charge and switching characteris-
tics.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
I
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100°C
I
DM
(
G
)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
()Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STD4NB40
400 V
< 1.8
4 A
Parameter
Value
Unit
400
V
400
V
± 30
V
4
A
2.52
A
16
A
60
W
0.47
4
W/°C
V/ns
–65 to 150
°C
150
°C
(1) I
SD
≤
4A, di/dt
≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, Tj
≤
T
jMAX
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
1
3
TO-252
DPAK
3
2
1
IPAK
TO-251
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD4NB40 | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET) |
| STD4NC50 | N - CHANNEL 500V - 1.3 ohm - 3.7 A TO-251 PowerMESH MOSFET |
| STD4NK50Z-1 | Multiconductor Paired ScTP Patch Cable; Number of Conductors:8; Conductor Size AWG:24; No. Strands x Strand Size:7 x 32; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:4; Conductor Material:Copper |
| STD4NK50 | 10 AMP DPDT MINIATURE POWER RELAY |
| STP4NK50ZFP | N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STD4NC50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 500V - 1.3 ohm - 3.7 A TO-251 PowerMESH MOSFET |
| STD4NC50_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET |
| STD4NC50-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.7A I(D) | TO-251AA |
| STD4NK100Z | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，SuperMESH? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.8 歐姆 @ 1.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:601pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 |
| STD4NK50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。