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參數(shù)資料
型號(hào): STGP14NC60KD
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
中文描述: N溝道第14A - 600V的- TO-220/TO-220FP/D2PAK短路IGBT的額定PowerMESH
文件頁(yè)數(shù): 1/14頁(yè)
文件大小: 456K
代理商: STGP14NC60KD
1/14
July 2005
STGP14NC60KD - STGF14NC60KD
STGB14NC60KD
N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/D
2
PAK
SHORT CIRCUIT RATED PowerMESH IGBT
Table 1: General Features
LOWER ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
LOWER C
RES
/ C
IES
RATIO
SWITCHING LOSSES INCLUDE DIODE
RECOVERY ENERGY
VERY SOFT ULTRA FAST RECOVERY
ANTIPARALLEL DIODE
NEW GENERATION PRODUCTS WITH
TIGHTER PARAMETER DISTRUBUTION
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on
a patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the Pow-
erMESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix “K” identifies a family optimized for high
frequency motor control applications with short cir-
cuit withstand capability.
APPLICATIONS
HIGH FREQUENCY INVERTERS
SMPS and PFC IN BOTH HARD SWITCH AND
RESONANT TOPOLOGIES
MOTOR DRIVERS
Table 2: Order Codes
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
(Max)
@25°C
I
C
(#)
@100°C
STGB14NC60KD
STGF14NC60KD
STGP14NC60KD
600 V
600 V
600 V
< 2.5 V
< 2.5 V
< 2.5 V
14 A
7 A
14 A
TO-220
1
2
3
1
2
3
1
3
TO-220FP
D
2
PAK
SALES TYPE
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGB14NC60KDT4
GB14NC60KD
D
2
PAK
TAPE & REEL
STGF14NC60KD
GF14NC60KD
TO-220FP
TUBE
STGP14NC60KD
GP14NC60KD
TO-220
TUBE
Rev.2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP7NB60FD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
STGP7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
STGP7NB60KD N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGW12NB60HD N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW12NB60H N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP15H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
STGP15M65DF2 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2V @ 15V,15A 功率 - 最大值:136W 開(kāi)關(guān)能量:90μJ(開(kāi)),450μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:45nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:24ns/93ns 測(cè)試條件:400V,15A,12 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):142ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STGP18N40LZ 功能描述:IGBT 晶體管 400V INTRN CLMP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP19NC60H 功能描述:IGBT 晶體管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP19NC60HD 功能描述:IGBT 晶體管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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