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參數資料
| 型號： | STGW12NB60H |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N溝道12A條- 600V到- 247 PowerMESH IGBT的 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | STGW12NB60H |
STGW12NB60H
N-CHANNEL 12A - 600V TO-247
PowerMESH
IGBT
PRELIMINARY DATA
I
HIGH INPUT IMPEDANCE
(VOLTAGEDRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGEDROP (V
CESAT
)
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
VERY HIGH FREQUENCY OPERATION
I
OFFLOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based
on a patented strip layout, STMicroelectronics
has designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs,
perfomances. The suffix ”H” identifies a family
optimized to achieve very low switching times for
high frequencyapplications(<120kHz).
with
outstanding
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS
I
SMPSAND PFC IN BOTH HARDSWITCH
AND RESONANTTOPOLOGIES
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1999
1
23
TO-247
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
Emitter-Collector Voltage
600
V
20
V
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Collector Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
±
20
24
V
A
I
C
12
A
I
CM
(
)
P
tot
Collector Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
96
A
120
W
0.96
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGW12NB60H
600 V
< 2.8 V
12 A
1/8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGW20NB60HD | N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| STGW20NB60KD | N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH? IGBT |
| STGW20NB60H | N-CHANNEL 20A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| STGW20NB60K | N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT |
| STGW30NB60HD | N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STGW12NB60HD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
| STGW15H120DF2 | 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關能量:380μJ（開），370μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:67nC 25°C 時 Td（開/關）值:23ns/111ns 測試條件:600V，15A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:231ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 |
| STGW15H120F2 | 功能描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關能量:380μJ（開），370μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:67nC 25°C 時 Td（開/關）值:23ns/111ns 測試條件:600V，15A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 |
| STGW15M120DF3 | 功能描述:IGBT 1200V 30A 259W 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關能量:550μJ（開），850μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:226nC 25°C 時 Td（開/關）值:26ns/122ns 測試條件:600V，15A，22 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:270ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 |
| STGW15S120DF3 | 功能描述:IGBT 1200V 15A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.05V @ 15V，15A 功率 - 最大值:259W 開關能量:540μJ（開），1.38mJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:53nC 25°C 時 Td（開/關）值:23ns/140ns 測試條件:600V，15A，22 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:270ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 |
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