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參數資料
| 型號： | STI100 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 1KV V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 1KV交五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至5 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | STI100 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STI1005 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 1KV V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR |
| STI20 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| STI1010 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 120V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
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| STI10N62K3 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 8.4A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SuperMESH3™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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