- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382560 > STL22NF10 (意法半導體) N-CHANNEL 100V - 0.055 ohm - 22A PowerFLAT⑩ LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | STL22NF10 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 100V - 0.055 ohm - 22A PowerFLAT⑩ LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II MOSFET |
| 中文描述： | N溝道100V的- 0.055歐姆- 22A條的PowerFLAT⑩低柵極電荷STripFET第二MOSFET的⑩ |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | STL22NF10 |
1/8
February 2003
.
STL22NF10
N-CHANNEL 100V - 0.055
- 22A PowerFLAT
LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.055
I
IMPROVED DIE-TO-FOOTPRINT RATIO
I
VERY LOW PROFILE PACKAGE (1mm MAX)
I
VERY LOW THERMAL RESISTANCE
I
VERY LOW GATE CHARGE
DESCRIPTION
This application specific Power MOSFET is the second
generation of STMicroelectronis unique "STripFET"
technology. The resulting transistor shows extremely low
on-resistance and minimal gate charge. The new
PowerFLAT package allows a significant reduction in
board space without compromising performance.
APPLICATIONS
I
HIGH-EFFICIENCY ISOLATED DC-DC
CONVERTERS
I
TELECOM AND AUTOMOTIVE
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STL22NF10
100 V
<0.060
22 A
(1)
PowerFLAT
(5x5)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D(2)
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C (Steady State)
I
D(2)
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM(3)
Drain Current (pulsed)
P
tot(2)
Total Dissipation at T
C
= 25°C (Steady State)
P
tot(1)
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt
(5)
Peak Diode Recovery voltage slope
E
AS (6)
Single Pulse Avalanche Energy
T
stg
Storage Temperature
T
j
Operating Junction Temperature
Parameter
Value
100
100
± 20
5.3
3.8
22
4
70
0.03
16
82
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W
W/°C
V/ns
mJ
-55 to 150
°C
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STL27N15 | N-CHANNEL 150V - 0.045 W - 27A PowerFLAT LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET |
| STL71 | MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| STL71L71H | MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| STL71L71L | MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| STL8NH3LL | N-CHANNEL 30 V - 0.012 з - 8 A PowerFLAT⑩ ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET⑩ MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STL23N85K5 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 850 V, 0.23OHMS, 18 A POWERFLAT 8X8 HV ZENER PROTE - Tape and Reel |
| STL23NM50N | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.170Ohm 14A pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STL23NM60ND | 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.150 Ohm 19.5 A Fdmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STL23NS3LLH7 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 92A PWRFLAT8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:92A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3） 標準包裝:1 |
| STL24A | 制造商:Alarm Suppliers 功能描述: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。