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參數資料
| 型號： | STP13N10LFI |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩壓二極管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 484K |
| 代理商： | STP13N10LFI |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| STP13N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
| STP13N80K5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:800 V 閘/源擊穿電壓:30 V 漏極連續電流:12 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.37 Ohms 配置:Single 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| STP13N95K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP13NK50Z | 功能描述:MOSFET 500V 0.40& 11A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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