型號(hào): | STP2NC70Z |
廠商: | 意法半導(dǎo)體 |
英文描述: | N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
中文描述: | N溝道高達(dá)700V - 7.3ohm - 1.4A的TO-220/FP/DPAK/IPAK齊保護(hù)的PowerMESH⑩三MOSFET的 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/13頁(yè) |
文件大小: | 634K |
代理商: | STP2NC70Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STP2NC70ZFP | N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
STD20NE03L-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251AA |
STD20NE03L | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET |
STD22NM20NT4 | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 22A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET |
STD22NM20N | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 22A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STP2NC70ZFP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
STP2NK100Z | 功能描述:MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP2NK60Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 1.4Amp 511-STP22NF03L RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP2NK90Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP300NH02L | 功能描述:MOSFET N Ch 600V 19A Pwr MESH IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |