型號: | STP4NC80Z |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | N-CHANNEL 800V - 2.4ohm - 4A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
中文描述: | N溝道800V的- 2.4ohm - 4A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK齊保護的PowerMESH⑩三MOSFET的 |
文件頁數(shù): | 1/14頁 |
文件大小: | 543K |
代理商: | STP4NC80Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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STP4NK50ZD | 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP4NK50ZFP | 功能描述:MOSFET N-Ch, 500V-2.4ohms Zener SuperMESH 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP4NK60Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |