- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385876 > STP5N90FI (意法半導(dǎo)體) N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP5N90FI |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型功率MOS器件 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/9頁(yè) |
| 文件大小： | 359K |
| 代理商： | STP5N90FI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP5NA80FI | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STP5NA80FP | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STP6NB25FP | N-CHANNEL 250V - 0.9ohm - 6A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET |
| STP6NB25 | N-CHANNEL 250V - 0.9ohm - 6A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET |
| STP80NF55L-06 | N - CHANNEL 55V - 0.005 ohm - 80A TO-220 STripFET POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP5N95K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP5N95K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:220pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP5NA50 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP5NA50FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STP5NA60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。