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參數資料
| 型號： | STP80N03L-06 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式高密度功率ＭＯＳ晶體管) |
| 中文描述： | N溝道增強模式“超高密度”功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式高密度功率馬鞍山晶體管） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | STP80N03L-06 |
STP80N03L-06
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
"ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTOR
TENTATIVE DATA
s
TYPICAL RDS(on) = 0.005
s
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
s
100% AVALANCHE TESTED
s
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
oC
s
HIGH CURRENT CAPABILITY
s
175
oC OPERATING TEMPERATURE
s
HIGH dV/dt RUGGEDNESS
s
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s
POWER MOTOR CONTROL
s
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
s
SYNCRONOUS RECTIFICATION
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VDS
Drain-source Voltage (VGS = 0)
30
V
VDGR
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k
)30
V
VGS
Gate-source Voltage
± 15
V
ID
Drain Current (continuous) at Tc = 25
oC80
A
ID
Drain Current (continuous) at Tc = 100
o C60
A
IDM(
)
Drain Current (pulsed)
320
A
Ptot
Total Dissipation at Tc = 25
o C
150
W
Derating Factor
1
W/
oC
dV/dt(1)
Peak Diode Recovery voltage slope
5
V/ns
Tstg
Storage Temperature
-65 to 175
oC
Tj
Max. Operating Junction Temperature
175
oC
(
) Pulse width limited by safe operating area
TYPE
VDSS
RDS(on)
ID
STP80N03L-06
30 V
< 0.006
80 A (*)
March 1996
TO-220
1
2
3
1/5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP80NE03L-06 | N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET) |
| STPF1020CTN | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPR810DB | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STPRA1040CT | 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS40L45CWPBF | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STP80N05-09 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR |
| STP80N06-10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR |
| STP80N10F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
| STP80N20M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP80N6F6 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:122nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7480pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
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