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參數資料
| 型號： | STU11NC60 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 600V - 0.48ohm - 11A Max220 PowerMeshII MOSFET |
| 中文描述： | N溝道600V的- 0.48ohm - 11A條Max220 PowerMeshII MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | STU11NC60 |
1/8
June 2000
STU11NC60
N-CHANNEL 600V - 0.48
- 11A Max220
PowerMesh
II MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.48
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK
I
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
The PowerMESH
II is the evolution of the first
generation of MESH OVERLAY
.
The layout re-
finements introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the lead-
ing edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES (UPS)
I
DC-AC CONVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25
°
C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100
°
C
I
DM
(
G
)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
(
)Pulse width limitedby safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STU11NC60
600V
< 0.55
11 A
Parameter
Value
Unit
600
V
600
V
±
30
V
11
A
8
A
44
A
160
W
Derating Factor
1.28
W/
°
C
V/ns
°
C
°
C
dv/dt(1)
Peak Diode Recovery voltage slope
4.5
T
stg
Storage Temperature
–65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
150
(1)I
SD
≤
11A, di/dt
≤
100A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
123
Max220
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STU11NB60 | N-CHANNEL 600V - 0.5ohm - 11A - Max220 PowerMESH MOSFET |
| STU13NC50 | N-CHANNEL 500V - 0.31ohm - 13A Max220 PowerMesh⑩II MOSFET |
| STU16NB50I | TRANSISTOR MOSFET MAX-220 |
| STU16NB50 | N-CHANNEL 500V - 0.28ohm - 15.6A-Max220 PowerMESH MOSFET |
| STV0196 | QPSK/BPSK DEMODULATOR AND FEC IC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STU11NM60ND | 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STU1224N | 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| STU1255PL | 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor |
| STU12N60M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:538pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 |
| STU12N65M5 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 8.5 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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