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參數資料
| 型號： | STW33N20 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | ? -通道增強型功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | STW33N20 |
STW33N20
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.073
I
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
150
o
C OPERATINGTEMPERATURE
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEEDSWITCHING
I
SOLENOID ANDRELAY DRIVERS
I
DC-DC CONVERTERS & DC-AC INVERTERS
I
TELECOMMUNICATION POWER SUPPLIES
I
INDUSTRIAL MOTOR DRIVES
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
200
V
V
DGR
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
200
V
V
GS
±
20
33
V
I
D
A
I
D
20
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
132
A
180
W
Derating Factor
1.44
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limitedby safe operating area
150
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.085
I
D
STW33N20
200 V
33 A
October 1997
1
2
3
TO-247
1/9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| STW34NB20 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247 |
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