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參數(shù)資料
| 型號： | STW55N10 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-247 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 55A條（丁）|至247 |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 334K |
| 代理商： | STW55N10 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STW55NE10 | N - CHANNEL 100V - 0.021ohm - 55A - TO247 STripFET POWER MOSFET |
| STH5N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | TO-218 |
| STH5N90FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-218VAR |
| STH65N05 | Modified TO-220 Balanced Three-chip SIDACtor« Device |
| STH65N05FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 37A I(D) | TO-218VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STW55NE10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 100V - 0.021ohm - 55A - TO247 STripFET POWER MOSFET |
| STW55NM50N | 功能描述:MOSFET N-channel 500V, 54 A Power II Mdmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW55NM60N | 功能描述:MOSFET N-Channel 600V Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW55NM60ND | 功能描述:MOSFET N-channel 600 V FDMesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW5630/JDR18BDR | 功能描述:LED Lighting COBs, Engines, Modules - 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):過期 類型:- 顏色:- CCT（K）:- 波長:- 配置:- 通量 @ 電流/溫度 -測試:- 電流 - 測試:- 溫度 - 測試:- 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 不同測試電流時的流明/瓦:- 電流 - 最大值:- CRI（高顯色指數(shù)）:- 視角:- 特性:- 大小/尺寸:- 高度:- 發(fā)光面（LES）:- 透鏡類型:- 標準包裝:1 |
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