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參數資料
| 型號： | STW60NE10 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | ? - 100V的通道- 0.016ohm - 60A至- 247 STripFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | STW60NE10 |
STW60NE10
N - CHANNEL 100V - 0.016
- 60A TO-247
STripFET
POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.016
I
EXCEPTIONAL dv/dtCAPABILITY
I
100%AVALANCHE TESTED
I
APPLICATIONORIENTED
CHARACTERIZATION
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest developmentof
STMicroelectronics
unique
Size
”
strip-based
process. The resulting
transistor shows extremely high packing density
for
low
on-resistance,
characteristics and less critical alignment steps
therefore
a
remarkable
reproducibility.
”Single
Feature
rugged
avalanche
manufacturing
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SOLENOID AND RELAYDRIVERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS,Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1999
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
100
V
100
V
±
20
60
V
A
I
D
42
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
240
A
180
W
1.2
W/
o
C
dv/dt (
1
)
Peak Diode Recovery voltage slope
9
V/ns
o
C
o
C
T
stg
T
j
Storage Temperature
-65 to 175
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
175
(
1
) I
SD
≤
60 A, di/dt
≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
<0.022
I
D
STW60NE10
100 V
60 A
1
23
TO-247
1/8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STW60N10 | CAP 330PF 200V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
| STW80N06-10 | N-Channel Enhancement Mode "Ultra High Density" Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| STW65N65DM2AG | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 60A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 |
| STW65N80K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 46A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3230pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 |
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