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參數(shù)資料
| 型號： | STX6904 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 350V五（巴西）總裁|芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | STX6904 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STX6905 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | CHIP |
| STX7904 | BJT |
| STX7905 | BJT |
| STZT5400 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-223 |
| STZT5550 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-223 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STX6905 | 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:HIGH VOLTAGE PNP TRANSISTOR MULTIPLE DIFFUSED EPITAXIAL |
| STX690A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| STX7100DWCE | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| STX715 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| STX715-AP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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