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參數資料
| 型號： | SUD23N06-31L |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | 其它接口 |
| 英文描述： | TERMINAL |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | SUD23N06-31L |
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
175 C Junction Temperature
APPLICATIONS
Automotive
- 12-V Systems
SUD23N06-31L
Vishay Siliconix
Document Number: 72145
S-03536—Rev. A, 24-Mar-03
www.vishay.com
1
N-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET, Logic Level
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
0.031 @ V
GS
= 10 V
I
D
(A)
a
23
60
0.045 @ V
GS
= 4.5 V
19.5
TO-252
S
G
D
Top View
Drain Connected to Tab
Ordering Information: SUD23N06-31L
D
G
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
b
T
C
= 25 C
T
C
= 100 C
I
D
23
16.5
Pulsed Drain Current
I
DM
I
S
I
AR
50
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
23
Avalanche Current
20
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle
1%)
L = 0.1 mH
E
AR
20
mJ
Maximum Power Dissipation
T
C
= 25 C
T
A
= 25 C
P
D
100
W
3
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 175
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec.
R
thJA
18
22
Steady State
40
50
C/W
Maximum Junction-to-Case
R
thJC
3.2
4
Notes:
a.
Surface mounted on 1” x 1” FR4 Board, t
10 sec.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUD25N06-45L | N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level |
| SUD30N04-10 | N-Channel 40-V (D-S), 175C MOSFET |
| SUD50N02-06P | N-Channel MOSFET, 20 V(D-S) , 175°C |
| SUD50N03-10AP | N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized |
| SUD50N03-10CP | N-Channel 30-V (D-S), 175 Degrees Celcious, MOSFET PWM Optimized |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SUD23N06-31L-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 23A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SUD23N06-31L-T4-E3 | 功能描述:MOSFET N-CH D-S 60V TO252 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SUD23N06-31-T4-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CH D-S 60V TO252 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SUD25N04-25 | 功能描述:MOSFET 40V 25A 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SUD25N04-25-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 25A 33W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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