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IXFN90N30全新現貨IXYS代理IXFN90N30功率MOSFET 最新批號

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IXFN90N30全新現貨IXYS代理IXFN90N30功率MOSFET 封裝SOT -227B

部分編號：IXFN90N30
描述：高電壓的Q -級HiPerFETs（高達1200V）
配置：單
封裝形式：采用SOT -至227B

特點
?國際標準封裝
?miniBLOC與鋁，氮化物
隔離
?低RDS（ON）HDMOSTM過程
?堅固的多晶硅柵單元結構
?非鉗位感應開關（UIS）的
額定
?低電感封裝
?快速內在整流器
應用
?DC - DC變換器
?電池充電器
?交換模式和諧振模式
電源供應器
?直流斬波器
?溫度和照明控制
優勢
?易于安裝
?節省空間
?高功率密度