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以下是，SI4963DY技術方案資料，型號:SI4963DY 廠家:VISHAY 批號:1036 封裝:SOP8 ，請點擊“詢價”
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SI4963DY技術方案資料
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，SI4963DY技術方案資料

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  • 所 在 地： 廣東 深圳市 福田區
  • 發布日期： 2015年10月21日
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型號SI4963DY廠家VISHAY
批號1036封裝SOP8
SI4963DY參數
連續漏極電流: 6.2 A
漏源極擊穿電壓: - 20 V
漏源導通電阻: 33 mOhms
晶體管極性: P-Channel
柵源極擊穿電壓 : 12 V
最大工作溫度: + 150 C
功率耗散: 2 W
下降時間: 45 ns
最小工作溫度: - 55 C
上升時間: 32 ns
SI4963DY應用程序
.負荷開關
.馬達驅動
.DC / DC轉換
.電源管理
SI4963DY描述
P溝道MOSFET指定2.5 v ruggedgate版本。優化了電源管理應用程序與廣泛的gatedrive電壓(2.5 v - 12 v)。
SI4963DY特性
.-6.2,-20 V,RDS= 33 m?@ vg = -4.5 V RDS= 50 m?@ vg = -2.5 V
.延長vg(±12 v)為電池應用范圍
.低閘極電荷
.高性能溝extremelylow RDS技術
.高功率和電流處理能力
SI4963DY典型特征圖

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