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IPB200N25N3G只做原裝現貨庫存
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，IPB200N25N3G只做原裝現貨庫存

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  • 發布日期： 2017年06月29日
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型號IPB200N25N3G廠家INFINEON
批號1617+封裝TO-263
數據列表
其它名稱IPB200N25N3 G-ND 
IPB200N25N3 GTR 
IPB200N25N3G 
IPB200N25N3GATMA1 
SP000677896 

規格
FET 類型N 溝道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）250V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）64A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）4V @ 270μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）86nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）7100pF @ 100V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）300W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）20 毫歐 @ 64A，10V
工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型表面貼裝
供應商器件封裝PG-TO263-2
封裝/外殼TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

公司:瀚佳科技（深圳）有限公司

聯系人:李先生李小姐（只做原裝現貨）

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