IRFB7430介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?，StrongIRFET?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 195A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 460nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 14240pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 375W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.3 毫歐 @ 100A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
是內(nèi)部含有兩個(gè)。TTL與非門是將若干個(gè)晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個(gè)獨(dú)立的元件。半導(dǎo)體三極管是電路中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號(hào)為“Q”、“GB”等）表示。
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