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參數資料
| 型號： | TC55VD818FF-143 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉向靜態 RAM) |
| 中文描述： | 為512k字× 18位同步無具體時間的靜態存儲器（為512k字x18位同步無轉向靜態內存） |
| 文件頁數： | 1/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 827K |
| 代理商： | TC55VD818FF-143 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| TC55VD836FF-150 | 256K Word x 36 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(256K 字x36位同步無轉向靜態 RAM) |
| TC55VD836FF-143 | 256K Word x 36 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(256K 字x36位同步無轉向靜態 RAM) |
| TC55VEM208ASTN40 | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55VEM208ASTN55 | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| TC55VEM208ASTN55 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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| TC55VEM316AXBN | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55VEM316AXBN40 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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