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參數資料
| 型號： | TC58FVB160-12 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 16M Bit (1M×16Bits ) CMOS NAND EEPROM(16M CMOS與非EEPROM) |
| 中文描述： | 1,600位（100萬× 16位）的CMOS閃存EEPROM的（1,600 EEPROM中的CMOS與非） |
| 文件頁數： | 1/30頁 |
| 文件大小： | 1522K |
| 代理商： | TC58FVB160-12 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC58FVB160-85 | 16M Bit (1M×16Bits ) CMOS NAND EEPROM(16M CMOS與非EEPROM) |
| TC58V16BDC | 16M Bit(2M x 8 Bit) CMOS NAND EEPROM(16M 位(2M x 8位) CMOS 與非 EEPROM) |
| TC58V16BFT | 16MB(2M x8Bits)CMOS NAND Flash EEPROM(16MB CMOS 與非閃速EEPROM) |
| TC59S6408BFT-80 | 2M Word x 4 Banks x 8 Bits Synchronous Dynamic RAM(2M 字 x 4組 x 8 位 同步動態 RAM) |
| TC59S6404BFT-80 | 4M Word x 4 Banks x 4 Bits Synchronous Dynamic RAM(4M 字 x 4組 x 4 位 同步動態 RAM) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TC58FVB160A | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC58FVB160AF | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:16-MBIT (2M x 8 BITS / 1M x 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY |
| TC58FVB160AFT | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:16-MBIT (2M x 8 BITS / 1M x 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY |
| TC58FVB160AFT-10 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC58FVB160AFT-70 | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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