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參數(shù)資料
型號(hào): THN6301Z
廠商: Tachyonics CO,. LTD.
英文描述: NPN SiGe RF TRANSISTOR
中文描述: npn型硅鍺射頻晶體管
文件頁(yè)數(shù): 1/11頁(yè)
文件大小: 217K
代理商: THN6301Z
THN6301 Series
Application
LNA and wide band amplifier up to GHz range
Features
o Low Noise Figure
NF = 1.1 dB Typ. @ f = 1 GHz, V
CE
= 8 V, I
C
= 5 mA
o High Power Gain
MAG =18 dB Typ. @ f = 1 GHz, V
CE
= 8 V, I
C
=15 mA
o High Transition Frequency
f
T
= 10 GHz Typ. @ V
CE
= 8 V, I
C
= 15 mA
Pin Configuration
Pin No
1
2
3
Available Package
Product
THN6301S
THN6301U
THN6301Z
THN6301E
THN6301KF
h
FE
Classification
Marking
h
FE
Absolute Maximum Ratings
Caution : ESD sensitive device
Unit : mm
Dimension
2.9
1.3, 1.2t
2.0
1.25, 1.0t
2.0
1.25, 1.0t
SOT523
SOT623F
1.6
0.8, 0.8t
1.4
0.8, 0.6t
SOT23
SOT323
SOT343
Package
E
C
Emitter
Collector
Symbol
B
Description
Base
150
mW
2.5
65
150
-65 ~ 150
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Ic
P
T
T
STG
T
J
Emitter to Base Breakdown Voltage
Collector Current (DC)
Total Power Dissipation
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Symbol
Parameter
Collector to Base Breakdown Voltage
Collector to Emitter Breakdown Voltage
V
V
V
25
12
AA1
AA2
125 to 300 80 to 160
Unit
Ratings
mA
NPN SiGe RF TRANSISTOR
SOT 523 Unit in mm
www.tachyonics.co.kr
- 1/11 -
Aug.-2005
Rev 2.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
THN6501S NPN Planer RF TRANSISTOR
THN6501Z NPN SiGe RF TRANSISTOR
THN6501 NPN SiGe RF TRANSISTOR
THN6501E NPN SiGe RF TRANSISTOR
THN6501U NPN SiGe RF TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
THN6501 制造商:TACHYONICS 制造商全稱:TACHYONICS 功能描述:NPN SiGe RF TRANSISTOR
THN6501E 制造商:AUK 制造商全稱:AUK corp 功能描述:SiGe NPN Transistor
THN6501F 制造商:AUK 制造商全稱:AUK corp 功能描述:SiGe NPN Transistor
THN6501S 制造商:AUK 制造商全稱:AUK corp 功能描述:SiGe NPN Transistor
THN6501U 制造商:AUK 制造商全稱:AUK corp 功能描述:SiGe NPN Transistor
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