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參數資料
| 型號： | THS4271DRB |
| 廠商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分類： | 音頻／視頻放大 |
| 英文描述： | VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| 封裝： | EXPOSED PAD, LEADLESS, PLASTIC, MSOP-8 |
| 文件頁數： | 22/35頁 |
| 文件大小： | 422K |
| 代理商： | THS4271DRB |
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THS4271
THS4275
SLOS397C – JULY 2002 – REVISED JANUARY 2003
www.ti.com
29
In order to achieve the maximum performance of the
device, PCB layout is very critical. Texas Instruments has
developed an EVM for the evaluation of the THS4271 in a
gain of 1. The EVM is shown in Figure 101 through
Figure 104. This EVM is designed to minimize peaking in
the unity gain configuration.
Minimizing the inductance in the feedback path is critical
for reducing the peaking of the frequency response in unity
gain. The recommended maximum inductance allowed in
the feedback path is 4 nH. This can be calculated by using
equation 8.
L(nH)
+ K ln 2
W
) T )
0.223 W ) T
) 0.5
where:
W = Width of trace in inches.
= Length of the trace in inches
.
T = Thickness of the trace in inches.
K = 5.08 for dimensions in inches, and K = 2 for dimensions
in cm.
Figure 95. THS4271/THS4275 EVM Circuit
Configuration
R1
R5
J2
Vin+
R6
Vs+
U1
2
3
6
7
41
8
J8
Power Down Ref
Vs+
R8
C8
Vs –
R4
R7
C7
J9
Power Down
R2
J4
Vout
Vs –
R9
R3
J1
Vin–
TP1
+
C1
VS–
J7
C6
C5
C2
VS+
J5
+
FB2
C4
C3
FB1
VS–
GND
VS+
J6
_
+
Figure 96. THS4271/THS4275 EVM Board
Layout (Top Layer)
Figure 97. THS4271/THS4275 EVM Board
Layout (Second Layer, Ground)
(8)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| THS4275DRB | VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4271MDEP | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4271MDGNTEP | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4271MDREP | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
| THS4275MDEP | 1 CHANNEL, VIDEO AMPLIFIER, PDSO8 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| THS4271DRBR | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| THS4271DRBRG4 | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| THS4271DRBT | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| THS4271DRBTG4 | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| THS4271DRG4 | 功能描述:高速運算放大器 Super-Fast Ultra-Low Distortion RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補償電壓:0.5 mV 轉換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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