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參數資料
| 型號： | TIP110A |
| 英文描述： | TTIP110A PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | TTIP110A進步黨外延硅晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 114K |
| 代理商： | TIP110A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP127A | TIP127A PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| TIP168A | MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS |
| TIP508 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-39 |
| SE7010 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | TO-5 |
| SE7055 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 220V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-39 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TIP110A_09 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:LOW SATURATION VOLTAGE PNP DARLINGTON TRANSISTOR |
| TIP110AG-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:LOW SATURATION VOLTAGE PNP DARLINGTON TRANSISTOR |
| TIP110AL-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:LOW SATURATION VOLTAGE PNP DARLINGTON TRANSISTOR |
| TIP110-BP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 2A 50W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP110G | 功能描述:達林頓晶體管 2A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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