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參數資料
| 型號： | TIP508 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-39 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 150伏五（巴西）總裁|甲一（c）| TO - 39封裝 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | TIP508 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SE7010 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | TO-5 |
| SE7055 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 220V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-39 |
| SE7057 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-39 |
| STI205 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR |
| STI30 | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:640V; Holding Current:50uA; Mounting Type:Surface Mount |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TIP50G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP50-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500V 1A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP50TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP51 | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| TIP514 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon PNP Power Transistor |
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