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參數資料
型號: TIP31D
廠商: MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述: POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W)
中文描述: 功率晶體管(3.0A的,120 - 160V,功率40W)
文件頁數: 1/4頁
文件大?。?/td> 209K
代理商: TIP31D
A
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PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
TIP31D-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 120V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP31E 制造商:BOURNS 制造商全稱:Bourns Electronic Solutions 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIP31E-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 140V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP31F 制造商:BOURNS 制造商全稱:Bourns Electronic Solutions 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIP31F-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 160V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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