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參數資料
| 型號： | TIP35B |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(25A,40-100V,125W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（第25A ,40 - 100V的，功率為125） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 164K |
| 代理商： | TIP35B |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP35C | POWER TRANSISTORS(25A,40-100V,125W) |
| TIP36 | POWER TRANSISTORS(25A,40-100V,125W) |
| TIP36A | POWER TRANSISTORS(25A,40-100V,125W) |
| TIP36B | POWER TRANSISTORS(25A,40-100V,125W) |
| TIP36C | POWER TRANSISTORS(25A,40-100V,125W) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TIP35BG | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon High?Power Transistors |
| TIP35B-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 25A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP35C | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP35C | 制造商:Bourns Inc 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-93 |
| TIP35C_01 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
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