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參數資料
| 型號： | TIP36A |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 25 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218AC |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | TIP36A |
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
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" !
. . . for general–purpose power amplifier and switching applications.
25 A Collector Current
Low Leakage Current — ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V
Excellent DC Gain — hFE = 40 Typ @ 15 A
High Current Gain Bandwidth Product —
hfe
= 3.0 min @ IC = 1.0 A,
f = 1.0 MHz
Rating
Symbol
TIP36B
TIP35B
TIP36C
Unit
40
Base Current — Continuous
Derate above 25 C
Peak (1)
Adc
5.0
Total Power Dissipation
125
Watts
Temperature Range
TJ, Tstg
THERMAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
0
125
0
25
175
75
100
75
100
50
125
25
150
P
50
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by TIP35A/D
25 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60–100 VOLTS
125 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 340D–02
TO–218AC
REV 1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP36B | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIP36C | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIP35C | NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) |
| TIP36B | Complementary Silicon High(互補型硅高功率晶體管) |
| TIP36C | Complementary Silicon High(互補型硅高功率晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TIP36AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 125W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP36A-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 25A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP36B | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-218 PNP GP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP36BG | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon High?Power Transistors |
| TIP36B-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 25A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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