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參數資料
| 型號： | TIPL761A |
| 廠商： | Power Innovations International, Inc. |
| 英文描述： | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | NPN硅功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 901K |
| 代理商： | TIPL761A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIPL762 | RES 18 OHM 1% 3W SILICONE WW |
| TIPL762A | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIPL765 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIPL765A | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIPL765 | RES 1.0K OHM 1% 3W SILICONE WW |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TIPL761A-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1000V 4A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIPL761B | 制造商:POINN 制造商全稱:Power Innovations Ltd 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIPL761B-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1200V 4A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIPL761C | 制造商:POINN 制造商全稱:Power Innovations Ltd 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIPL761C-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1200V 4A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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