型號: | TN0201K |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | N-Channel 20-V MOSFET |
中文描述: | N溝道20 - V MOSFET的 |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大小: | 76K |
代理商: | TN0201K |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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TN0201K-T1-E3 | N-Channel 20−V (D−S) MOSFET |
TN0201L | N-Channel 20-, 30-, 40-V (D-S) MOSFETs |
TN0401L | N-Channel 20-, 30-, 40-V (D-S) MOSFETs |
TN0201L | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors(最小漏源擊穿電壓20V,夾斷電流0.64A的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
TN0401L | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors(最小漏源擊穿電壓40V,夾斷電流0.64A的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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TN0201K_06 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
TN0201KL | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20−V (D−S) MOSFET |
TN0201KL-TR1 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20−V (D−S) MOSFET |
TN0201KL-TR1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.64A 0.35W 1.4ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
TN0201K-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.42A 1.0Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |