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參數資料
| 型號： | TN2904A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-237VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|至237VAR |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 357K |
| 代理商： | TN2904A |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| TN2218A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-237VAR |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| TN2907A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN2907A_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TN2907A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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