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參數資料
型號: TN3012L
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: N-Channel 300-V (D-S) MOSFET
中文描述: N溝道300 -五(副)MOSFET的
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 47K
代理商: TN3012L
TN3012L
Vishay Siliconix
Document Number: 70206
S-04279—Rev. C, 16-Jul-01
www.vishay.com
11-1
N-Channel 300-V (D-S) MOSFET
V
(BR)DSS
Min (V)
r
DS(on)
Max ( )
V
GS(th)
(V)
I
D
(A)
12 @ V
GS
= 10 V
300
20 @ V
GS
= 4.5 V
0.8 to 3
0.18
Low On-Resistance: 9
Secondary Breakdown Free: 320 V
Low Power/Voltage Driven
Low Input and Output Leakage
Excellent Thermal Stability
Low Offset Voltage
Full-Voltage Operation
Easily Driven Without Buffer
Low Error Voltage
No High-Temperature
“Run-Away”
High-Voltage Drivers: Relays, Solenoids,
Lamps, Hammers, Displays, Transistors, etc.
Telephone Mute Switches, Ringer Circuits
Power Supply, Converters
Motor Control
1
TO-226AA
(TO-92)
Top View
S
D
G
2
3
Device Marking
Front View
“S” TN
3012L
xxyy
“S” = Siliconix Logo
xxyy
= Date Code
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
300
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
A
= 25 C
0.18
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
T
A
= 100 C
I
D
0.14
A
Pulsed Drain Current
a
I
DM
0.5
T
A
= 25 C
0.8
Power Dissipation
T
A
= 100 C
P
D
0.32
W
Maximum Junction-to-Ambient
R
thJA
156
C/W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Notes
a.
Pulse width limited by maximum junction temperature.
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