型號: | TP0610T |
廠商: | ELAN Microelctronics Corp . |
英文描述: | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-61V,P溝道增強型垂直DMOS結構場效應管) |
中文描述: | P通道增強模式垂直的DMOS場效應管(擊穿電壓- 61V,P溝道增強型垂直的DMOS結構場效應管) |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 30K |
代理商: | TP0610T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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TP0620 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-200V,低門限2.4V,P溝道增強型垂直DMOS結構場效應管) |
TP11362AV | Quad Adaptive Differential PCM Processor |
TP11362A | Quad Adaptive Differential PCM Processor(四通道適應性微分PCM處理器) |
TP11362 | CONNECTOR |
TP11362AN | CONNECTOR ACCESSORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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TP0610T-G | 功能描述:MOSFET -60V 100hm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
TP0610TT1 | 制造商:SILICONIX 功能描述:* |
TP0610T-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin TO-236 T/R |
TP0620 | 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
TP0620N3 | 功能描述:MOSFET 200V 12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |