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參數資料
| 型號： | TPS1100YPW |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
| 中文描述： | 單P溝道增強型MOSFET |
| 文件頁數： | 8/10頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | TPS1100YPW |
TPS1100, TPS1100Y
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
SLVS078C – DECEMBER 1993 – REVISED AUGUST 1995
8
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
TYPICAL CHARACTERISTICS
– 6
– 4
– 2
0
0
2
3
5
– 8
GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
vs
GATE CHARGE
– 10
1
4
6
–
VG
Qg – Gate Charge – nC
VDS = –10 V
ID = –1 A
TJ = 25
°
C
Figure 11
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TPS1100Y | CONNECTOR ACCESSORY |
| TPS1100YD | CONNECTOR ACCESSORY |
| TPS1101YPW | TELEPHONE CBL 8-CONDUCTOR1000 |
| TPS1101DW | CONNECTOR ACCESSORY |
| TPS1101PW | CONNECTOR ACCESSORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TPS1101 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
| TPS1101_12 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
| TPS1101D | 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TPS1101DG4 | 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TPS1101DR | 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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