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參數資料
| 型號： | TPS1101PW |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | CONNECTOR ACCESSORY |
| 中文描述： | 連接器附件 |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | TPS1101PW |
TPS1101, TPS1101Y
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
SLVS079C – DECEMBER 1993 – REVISED AUGUST 1995
9
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
THERMAL INFORMATION
Figure 12
– 1
– 0.1
– 0.01
– 10
– 0.1
– 1
– 10
– 100
–
ID
DRAIN CURRENT
vs
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
VDS – Drain-to-Source Voltage – V
– 100
DC
10 s
1 s
0.1 s
0.01 s
0.001 s
Single Pulse
See Note A
TJ = 150
°
C
TA = 25
°
C
NOTE A: Values are for the D package and are
FR4-board-mounted only.
Figure 13
10
1
0.1
0.001
100
0.01
0.1
1
10
Single Pulse
See Note A
–
θ
J
Z
C
°
T
TRANSIENT JUNCTION-TO-AMBIENT
THERMAL IMPEDANCE
vs
PULSE DURATION
tw – Pulse Duration – s
NOTE A: Values are for the D package and are
FR4-board-mounted only.
APPLICATION INFORMATION
Load
3 V or 5 V
Microcontroller
Figure 14. Notebook Load Management
Microcontroller
Charge
Pump
5 V
–4 V
GaAs FET
Amplifier
Driver
Figure 15. Cellular Phone Output Drive
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TPS1101Y | CONNECTOR ACCESSORY |
| TPS1101YDW | CONNECTOR ACCESSORY |
| TPS1120YD | CONNECTOR ACCESSORY |
| TPS1120Y | CONNECTOR ACCESSORY |
| TPS2010APWP | CONNECTOR ACCESSORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TPS1101PWLE | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
| TPS1101PWR | 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TPS1101PWRG4 | 功能描述:MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TPS1101Y | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
| TPS1101YDW | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS |
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