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參數資料
| 型號： | TSMBJ1012C |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 浪涌電流限制器 |
| 英文描述： | Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts |
| 中文描述： | 220 V, 50 A, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA |
| 封裝： | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | TSMBJ1012C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSMBJ1024C | Transient Voltage Protection Device 75 to 320 Volts |
| TSMF1000 | High Speed IR Emitting Diode in ?SMD Package |
| TSMF1020 | High Speed IR Emitting Diode in SMD Package |
| TSMF1040 | High Speed IR Emitting Diode in SMD Package |
| TSMF3710 | High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TSMBJ1012C/TP | 功能描述:硅對稱二端開關元件 160V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| TSMBJ1012C-TP | 功能描述:硅對稱二端開關元件 RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| TSMBJ1014C | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Bi-Directional 100 Amp 50-270 Volts Thyristor Surge Protective Device |
| TSMBJ1016C | 功能描述:硅對稱二端開關元件 190V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| TSMBJ1016C/TP | 功能描述:硅對稱二端開關元件 190V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
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