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參數資料
| 型號： | U62H256SK55 |
| 英文描述： | x8 SRAM |
| 中文描述： | x8的SRAM |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | U62H256SK55 |
5
March 8, 1999
U62H256S
Data Retention Mode
Data Retention
Characteristics
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Alt.
IEC
Data Retention Supply Voltage
V
CC(DR)
2
5.5
V
Data Retention Supply Current
I
CC(DR)
V
CC(DR)
= 3 V
V
E
K-Type
A-Type
= V
CC(DR)
- 0.2 V
0.09
1
mA
mA
Data Retention Setup Time
t
CDR
t
su(DR)
See Data Retention
Waveforms (above)
0
ns
Operating Recovery Time
t
R
t
rec
t
cR
ns
A
AA
AA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
AAAA
A
Data Retention
4.5 V
t
su(DR)
t
rec
V
CC
E
V
CC(DR)
≥
2 V
0 V
2.2 V
2.2 V
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
Test Configuration for Functional Check
V
IH
V
IL
V
SS
V
CC
5 V
481
255
30 pF
1)
V
O
1)
In measurement of t
dis(E)
,t
dis(W)
, t
en(E)
, t
en(W)
, t
en(G)
the capacitance is 5 pF.
I
r
S
m
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
E
W
G
E - controlled
V
CC(DR)
- 0.2 V
≤
V
E(DR)
≤
V
CC(DR)
+ 0.3 V
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PDF描述 |
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參數描述 |
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