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參數資料
型號: U630H64SC45
英文描述: NVRAM (EEPROM Based)
中文描述: NVRAM中(EEPROM的基礎)
文件頁數: 5/14頁
文件大小: 143K
代理商: U630H64SC45
5
November 01, 2001
U630H64
High Impedance
Read Cycle 1: Ai-controlled (during Read cycle: E = G = V
IL
, W = NE = V
IH
)
f
t
a(A)
Previous Data Valid
Output Data Valid
t
cR
Address Valid
t
v(A)
Ai
DQi
Output
Read Cycle 2: G-, E-controlled (during Read cycle: W = NE = V
IH
)
g
Ai
E
G
t
dis(E)
t
cR
t
a(E)
t
en(E)
t
en(G)
t
a(G)
t
dis(G)
Address Valid
t
a(A)
(2)
Output Data Valid
I
CC
ACTIVE
STANDBY
t
PD
t
PU
No.Switching Characteristics
Write Cycle
Symbol
25
35
45
Unit
Alt. #1
Alt. #2
IEC
Min. Max. Min. Max. Min. Max.
12 Write Cycle Time
t
AVAV
t
AVAV
t
cW
25
35
45
ns
13 Write Pulse Width
t
WLWH
t
w(W)
20
30
35
ns
14 Write Pulse Width Setup Time
t
WLEH
t
su(W)
20
30
35
ns
15 Address Setup Time
t
AVWL
t
AVEL
t
su(A)
0
0
0
ns
16 Address Valid to End of Write
t
AVWH
t
AVEH
t
su(A-WH)
20
30
35
ns
17 Chip Enable Setup Time
t
ELWH
t
su(E)
20
30
35
ns
18 Chip Enable to End of Write
t
ELEH
t
w(E)
20
30
35
ns
19 Data Setup Time to End of Write
t
DVWH
t
DVEH
t
su(D)
12
18
20
ns
20 Data Hold Time after End of Write
t
WHDX
t
EHDX
t
h(D)
0
0
0
ns
21 Address Hold after End of Write
t
WHAX
t
EHAX
t
h(A)
0
0
0
ns
22 W LOW to Output in High-Z
h, i
t
WLQZ
t
dis(W)
10
13
15
ns
23 W HIGH to Output in Low-Z
t
WHQX
t
en(W)
5
5
5
ns
(1)
(2)
(9)
(1)
(3)
(4)
(5)
(7)
(6)
(8)
10
(11)
DQi
Output
相關PDF資料
PDF描述
U630H64SK25 Low noise JFET quad operational amplifier
U630H64SK35 NVRAM (EEPROM Based)
U630H64SK45 General purpose JFET single operational amplifiers
U631H64SK45 NVRAM (EEPROM Based)
U631H64BDC25 General purpose JFET quad operational amplifiers
相關代理商/技術參數
參數描述
U630H64SK25 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (EEPROM Based)
U630H64SK35 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (EEPROM Based)
U630H64SK45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (EEPROM Based)
U631 功能描述:開關配件 PushButton Cap Blue RoHS:否 制造商:C&K Components 類型:Cap 用于:Pushbutton Switches 設計目的:
U631H16 制造商:SIMTEK 制造商全稱:Simtek Corporation 功能描述:SimtekSoftStore 2K x 8 nvSRAM
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